Mỗi ổ đĩa SSD (Ổ cứng thể rắn), USB , hoặc thẻ nhớ FLASH sẽ bao gồm hai phần chính

– Chip điều khiển (controler) và Chíp Nhớ (NAND FLASH). 

–  Sức chịu đựng của các chip bộ nhớ trong quá trình sử dụng sẽ giảm dần.

Ví dụ: Các tế bào bộ nhớ của chip SLC có thể chịu được khoảng 100.000 chu kỳ ghi,

Khi số lượng tế bào nhớ bị hỏng (Block bad) vượt quá giới hạn, các thiết bị lưu trữ dữ liệu  sẽ bắt đầu có hiện tượng suy giảm tốc độ, treo và không nhận, khi đó việc truy cập vào dữ liệu người dùng trở nên không thể.

– Một nguyên nhân nữa đến từ thành phần thứ 2  đó là chip điều khiển (Controler ): Các chíp điều khiển được sử dụng trong các thiết bị lưu trữ flash phải  làm việc trong điều kiện nhiệt độ khắc nghiệt nên việc hư hỏng là khó tránh, 

Cuối cùng có thể lỗi hệ thống quản lý nguồn điện của ổ SSD. 

– Các chíp điều khiển sẽ điều khiển các hoạt động đọc / ghi , tối ưu hóa dữ liệu trong chip nhớ, bên cạnh đó còn kiểm soát lỗi và đánh dấu block

Mỗi nhà sản xuất bộ điều khiển sử dụng một thuật toán khối dịch khác nhau với các bước khác nhau của tối ưu hóa dữ liệu. 

– Như vậy, trong trường hợp ổ cứng SSD thể rắn bị lỗi, đặc biệt là khi chip điều khiển bị hư hỏng việc truy cập dữ liệu bị mất. Mặc dù vậy, các dữ liệu được lưu trữ vẫn còn bên trong chip nhớ. Cách duy nhất để phục hồi dữ liệu trong trường hợp này là sử dụng máy hàn tháo chíp nhớ và đọc  trực tiếp thông tin của chip nhớ. Sau khi đọc được chíp nhớ dữ liệu đọc ra chỉ là dưới dạng nhị phân, không tập trung và không có cấu trúc và cần phải áp dụng các hoạt động đặc biệt để đưa dữ liệu về trạng thái ban đầu

– Để xây dựng lại thuật toán của chíp điều khiển và các biên dịch ban đầu Do đó, quá trình phục hồi dữ liệu ổ cứng SSD bao gồm một số bước mà máy cứu dữu liệu sẽ cho phép mô phỏng hoạt động của bộ điều khiển và tái tạo lại hệ thống tập tin với dữ liệu người dùng:

• Chip nhớ hàn khò (desoldering)
• Đọc nội dung thô từ chíp nhớ FLASH
• Loại bỏ tối ưu hóa dữ liệu (kết hợp dữ liệu)
• Xây dựng Thuật toán khối phiên dịch (PBA-LBA)

– Quá trình chip nhớ desoldering được thực hiện bằng cách sử dụng trạm hàn với súng khí nóng. Cho các chip mới nhất như TLC yêu cầu phải chính xác về nhiệt độ tránh việc quá nhiệt gây tổn hại các tế bào nhớ.
Quá trình đọc và phân tích sâu hơn dữ liệu thô được đọc ra từ chip nhớ được thực hiện với việc sử dụng thiết bị đặc biệt cho Phục hồi dữ liệu đó là PC3000 SSD hoạc PC3000 FLASH. Mỗi con chip NAND sử dụng cấu hình đọc khác nhau, tùy thuộc nhà sản xuaats. Trong quá trình đọc một số lỗi có thể xuất hiện  và đặc thù vật lý của các chip bộ nhớ.Khi đọc được thực hiện sửa chữa sai sót được yêu cầu thông qua các thuật toán toán học cụ thể, chẳng hạn như Reed-Solomon, BCH, LDPC.Dynamic …
– Trước khi điều khiển ghi dữ liệu vào chip bộ nhớ, dữ liệu đang được tối ưu hóa. Quá trình này làm thay đổi các dữ liệu ban đầu và làm cho nó không thể nhận ra. Quá trình tối ưu hóa này có thể bao gồm các hoạt động như Byte phân chia, Inversion, mã hóa XOR, mã hóa, interleaves, vv

– Để có được những dữ liệu ban đầu là cần thiết để áp dụng các hoạt động ngược lại để đổ của chip bộ nhớ.
Khi tất cả các yêu cầu chuyển đổi dữ liệu được thực hiện nó là cần thiết để áp dụng thuật toán khối dịch sẽ sắp xếp tất cả các khối với dữ liệu theo vị trí thực sự của họ. Kết quả của thuật toán này sẽ là một hình ảnh của dữ liệu với hệ thống tập tin.